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　　专利摘要显示，本申请公开了一种太阳能电池，包括基底，在所述基底上具有层叠在一起的空穴传输层和钙钛矿吸收层，所述空穴传输层是由含有高掺杂度卤素的导电聚合物材料形成；所述空穴传输层中卤素的掺杂浓度N0大于所述钙钛矿吸收层中卤素缺陷浓度Abb电子，即N0>

　　专利摘要显示bb电子，本申请公开了一种太阳能电池，包括基底，在所述基底上具有层叠在一起的空穴传输层和钙钛矿吸收层，所述空穴传输层是由含有高掺杂度卤素的导电聚合物材料形成；所述空穴传输层中卤素的掺杂浓度N0大于所述钙钛矿吸收层中卤素缺陷浓度A，即N0A。本申请还提供一种太阳能电池的制备方法。bb电子本申请提供的太阳能电池，该太阳能电池的空穴传输层中含有高掺杂度的卤素，且空穴传输层中的卤素的浓度大于钙钛矿吸收层中的卤素缺陷浓度，由于空穴传输层与钙钛矿吸收层中的卤素具有浓度差能源知识，bb电子因此可抑制钙钛矿吸收层中卤素迁移到空穴传输层中，从而不仅可以提高所述太阳能电池的效率还可以提高太阳能电池的稳定性。